Naše storitve

Silicijev karbid

Silicijev karbid, imenovan tudi karborund, je spojina iz silicija in ogljika. To kemično spojino najdemo v mineralu moissanite. Naravna oblika silicijevega karbida je poimenovana po francoskem farmacevtu dr. Ferdinandu Henriju Moissanu. Moissanit se običajno nahaja v zelo majhnih količinah v meteoritih, kimberlitu in korundu. Zato je večina komercialnega silicijevega karbida sintetičnega. Čeprav je na Zemlji težko najti naravno prisoten silicijev karbid, ga je v vesolju precej veliko. Silicijev karbid je danes ena najbolj uporabnih kemičnih spojin na svetu. Njegova uporaba sega v veliko število industrij.

Pošlji povpraševanje

Naša tovarna

NY TWO GLOBAL je že pred desetimi leti močno prisoten v industriji ognjevarnih materialov in abrazivov. Z združevanjem virov in optimizirane strokovne ekipe širimo svoje poslovanje na industrijo zlitin, velikih vreč in maloprodajo. Imamo dve tovarni BFA v 100-odstotni lasti in eno tovarno velikih vreč. Z vlaganjem v nekatere druge ognjevzdržne obrate izboljšamo naš položaj proizvodnje in nadzora kakovosti za boljšo ceno. Ognjevzdržne in abrazivne surovine: silicijev karbid, beli taljeni aluminijev oksid, beli ploščati aluminijev oksid, črni silicijev karbid, taljeni mulit, boksit, taljeni magnezijev oksid, Mrtvo žgani magnezijev oksid, žgana glinica itd. Zlitina: visoko-srednje-nizkoogljični feromangan, visokoogljični ferokrom, nizkoogljični ferokrom, silikonski mangan, fero silicij, silicijeva kovina, manganova kovina, polnjene žice, incoulants itd.

Zakaj izbrati nas

Tovarniška moč
NY TWO GLOBAL je že pred desetimi leti močno prisoten v industriji ognjevarnih materialov in abrazivov. Z združevanjem virov in optimizirane strokovne ekipe širimo naše poslovanje na panoge Alloy, Big Bag in maloprodajo.

Kontrola kakovosti
Testiranje in pregledovanje podatkov v realnem času za vsako fazo proizvodnje v lastnem laboratoriju.

Naš certifikat
Vsi naši obrati izpolnjujejo standarde ISO 9001:2015, ISO 14001:2015 in OHSAS 18001:2007.

Proizvodni trg
Zaradi močne prisotnosti na Kitajskem, v Indiji, Turčiji, Evropi in ZDA imamo tesne povezave z glavnimi igralci v vsaki industriji.

Sorodni izdelek

Cirkonijeva kroglica

Cirkonijeve kroglice uporabljajo redkozemeljski itrijev oksid kot stabilizator, uporabo visoke beline, visoko drobnost surovin za zagotovitev, da material ne onesnažuje. Fina mikrostruktura, gladka delovna površina, zmanjšanje notranjega trenja kroglic, izboljšanje učinkovitosti brušenja. 2, lahko

Abrazivni pesek iz rjavega korunda

Rjavi korundni abrazivni pesek se pogosto uporablja pri strojni obdelavi delov za ultra fino brušenje, lahko pa tudi izdeluje ognjevzdržne materiale, toplotnoizolacijske plošče, keramična orodja, rjavi korundni abrazivni pesek se lahko uporablja tudi kot pršilne surovine.

Silicijev karbid

Profesionalna dobava Standard JS 240#--8000# Silicijev karbid: Specifična teža: 3,2 Nasipna gostota: 1.45-1,56g/cm3 Mohsova trdota: 9,15 Tipične sestavine (%6): SiC :292.5 Free C: s0.30Fe 0:s1.2 Oblika: Poligonalna Barva: Zelena: 25 kg pak. Predstavitev izdelka iz silicijevega karbida: zeleni silicijev karbid..

Kubični silicijev karbid /B-SiC

Kubični silicijev karbid, znan tudi kot B-SiC, je kubični kristalni sistem (tip adamantinskega kristala). Trdota kubičnega silicijevega karbida /B-SiC je 9.25-9.6, kar je blizu 10 trdote diamanta, končna obdelava pa je boljša od trdote diamanta. Kubični silicijev karbid /B-SiC je takoj za krizosparom *1Eden od.

Črni silicijev karbid

Prah črnega silicijevega karbida je izdelan iz visokokakovostnega silicijevega karbida in naftnega koksa kot surovine, ki se tali pri visoki temperaturi več kot 2000 stopinj v uporovni peči več kot 46 ur. Trdota črnega silicijevega karbida je med korundom in diamantom

Predstavitev izdelka mulitne opeke

Ognjevzdržna z visoko vsebnostjo aluminijevega oksida z mulitom (Al2O3•SiO2) kot glavno kristalno fazo. Na splošno je vsebnost aluminijevega oksida med 65 % in 75 %. Nižja vsebnost aluminijevega oksida poleg mulita vsebuje tudi majhno količino steklene faze in kristobalita; Višja vsebnost aluminijevega oksida vsebuje tudi a.

WA Beli korundni pesek

Beli korundni pesek WA je izdelan iz prahu aluminijevega oksida kot surovine, ki se kristalizira z elektrolizo. Njegova trdota je nekoliko višja od trdote rjavega korunda, z nekoliko nižjo žilavostjo, visoko čistostjo, močno brusilno silo, nizko toplotno močjo, visoko učinkovitostjo, kislino in alkalijo.

Aluminijev pesek

Aluminijev pesek: Oblika: Poligonalna Mohsova trdota: 9 Specifična teža: 3.95-3.97 Nasipna gostota: GB10-220:1.6-1.97g /cm3 GB240-1200: {{10}}.7-1.7g/cm3 Tipična sestava (%6): Al203:99,60Na20:0,18Si02 :0,01 Fe203:0,02 CaO+Mgo: 0,02 Barva: Bela Pakiranje: 25kg pak.

Električni talilni mulit

[Specifikacije izdelka] : različne specifikacije peska, prahu [Proizvodna zmogljivost] : 50,000 ton/leto 【Uporaba】 : metalurgija, keramika, gradbeni materiali, kemična, električna in livarska industrija. 【Predstavitev izdelka】: Električni taljeni mulit je neke vrste visoke kakovosti.

Kaj je silicijev karbid

Prednosti silicijevega karbida

Odlična zmogljivost pri visokih temperaturah
Tališče izdelkov iz silicijevega karbida je kar 2700 stopinj, kar lahko ohrani strukturno stabilnost in trdnost v visokotemperaturnih okoljih, zato se pogosto uporablja v visokotemperaturnih staljenih kovinah, visokotemperaturnih grelnih pečeh, visokotemperaturnih petrokemičnih izdelkih. in druga področja.

Močna odpornost proti koroziji
Silicijev karbid ima odlično odpornost proti koroziji in lahko dolgo časa stabilno deluje v kislem, alkalnem in oksidativnem okolju.

Visoka trdota in visoka trdnost
Silicijev karbid ima večjo trdoto in moč kot tradicionalni keramični materiali, zato ima dobro odpornost proti obrabi in udarcem.

Odlična toplotna in električna prevodnost
Silicijev karbid ima visoko toplotno prevodnost in odlično električno prevodnost, zato se pogosto uporablja pri izdelavi visokozmogljivih elektronskih komponent in radiatorjev.

Lastnosti SiC

Politipizem SiC
SiC je znan po svojem politipizmu (različne kristalne strukture), ki nastane z zlaganjem Si in C vzdolž glavne osi (C-os). Zlaganje AaBbCcAaBbCc ustvari mrežo 3C-SiC cinkove mešanice, AaBbAaBb ustvari 2H-SiC z wurtzitno mrežo in AaBbAaCcAaBbAaC ustvari mrežo 4H-SiC. Različne kristalne oblike z različnim številom atomov na enoto celice vplivajo na fizikalne lastnosti politipov zaradi različnih elektronskih energijskih pasov in vibracijskih vej.

Struktura pasu
Različne kristalne oblike SiC imajo različne velikosti pasov, ki segajo od 2,4 eV (3C-SiC) do 3,35 eV (2H-SiC), kar je ključnega pomena za določanje njihovih elektronskih in optičnih lastnosti. Politipi SiC so posredni polprevodniki, kar pomeni, da politip z najmanjšim pasovnim razmikom (3C-SiC ) do tistega z največjim pasovnim razmakom (2H-SiC) zahteva sodelovanje fononov (kvantizirani načini nihanja). Čeprav so politipi SiC posredni polprevodniki, so odlični kandidati za energetske aplikacije.

Doping
Dopiranje je fizikalna metoda, ki se uporablja za pridobitev želenih električnih lastnosti SiC. V tem procesu je element, bodisi akceptor (aluminij/bor/galij) bodisi donor (dušik/fosfor), uveden na stopnji rasti kristala, da spremeni njegovo prevodnost. Ker difuzija ni izvedljiva metoda za dopiranje SiC, se za dopiranje SiC uporablja ionska implantacija z aktivacijo dopanta z visokotemperaturnim segrevanjem. Prejšnje študije so poročale o uspehu dopinga SiC z dušikom za aplikacije, kot je zmanjšanje izgube moči v navpičnih strukturah močnostnih naprav in visokofrekvenčnih aplikacijah.

Električne lastnosti
Nenamerno dopiranje z donorji dušika med procesom rasti kaže, da imajo med procesom rasti presežek elektronov, kar razkriva prevodnost n-tipa v SiC. Dopirani atomi dušika nadomeščajo atome ogljika na mestih mreže, spreminjajo ionizacijske energije zaradi različnih lokalnih okolij in specifičnega interferenčnega učinka. Poleg tega Hallove meritve pomagajo določiti koncentracijo donorjev dušika ob predpostavki enake porazdelitve med različnimi mrežnimi mesti.

Kemijska stabilnost
SiC je podvržen lahki oksidaciji in tvori film silicijevega dioksida (SiO2), ki postopoma ovira proces oksidacije. Če pa hkrati obstajajo snovi, ki lahko odstranijo ali zlomijo film silicijevega dioksida, se lahko SiC dodatno oksidira. SiC se ne raztopi zlahka v kislinah ali bazah, lahko pa ga zlahka napadejo alkalne taline. Primarne nečistoče v SiC vključujejo C in SiO2, količina nečistoč pa se razlikuje glede na vrsto izdelka.

Uporaba silicijevega karbida

01/

Silicijev karbid, ki se uporablja v vojaških neprebojnih oklepih
Silicijev karbid se uporablja za izdelavo neprebojnih oklepov. Lastnost te spojine, zaradi katere jo je mogoče uporabiti v ta namen, je njena trdota. Naboji in drugi škodljivi predmeti se bodo morali boriti s trdimi keramičnimi bloki, ki jih tvori silicijev karbid. Krogle ne morejo prebiti keramičnih blokov.

02/

Silicijev karbid, ki se uporablja v polprevodnikih
Silicijev karbid postane polprevodnik, ko mu dodamo dopante. Dodatki, kot sta bor in aluminij, dodani silicijevemu karbidu, postanejo polprevodniki p-tipa. Po drugi strani pa dodatki, kot sta dušik in fosfor, dodani silicijevemu karbidu, postanejo polprevodniki n-tipa. Za več informacij o razlikah med polprevodniki tipa p in polprevodniki tipa n lahko preberete to objavo.

03/

Silicijev karbid, ki se uporablja v abrazivih
Silicijev karbid se pogosto uporablja kot abraziv zaradi njegove trdnosti. Uporablja se pri izdelavi brusov, rezalnih orodij in brusnega papirja. Abrazivi iz silicijevega karbida so običajno cenejši od drugih abrazivov podobne kakovosti. Abrazivi se uporabljajo za mletje materialov, kot so jeklo, aluminij, lito železo in guma.

04/

Silicijev karbid, ki se uporablja v električnih vozilih
Silicijev karbid je boljša izbira kot silicij za napajanje električnih vozil. Električna vozila, ki jih poganja silicijev karbid, so zelo učinkovita in stroškovno učinkovita. Trenutno je veliko znanih podjetij uporabilo silicijev karbid za izboljšanje učinkovitosti in dosega pri proizvodnji električnih vozil, kot je Tesla.

05/

Silicijev karbid, ki se uporablja v nakitu
Silicijev karbid, ki je strukturno podoben diamantu, a bolj sijoč, cenejši, trpežnejši in lažji od diamanta, je zaslužena alternativa diamantu v industriji nakita.

06/

Silicijev karbid, ki se uporablja v gorivu
Poleg drugih uporab se silicijev karbid uporablja kot gorivo. Uporablja se kot gorivo pri proizvodnji jekla in proizvaja čistejše jeklo kot večina drugih goriv. Je tudi cenejše in okolju prijaznejše gorivo.

Kako izbrati silicijev karbid

Prepoznavanje vaših ognjevzdržnih potreb
Prvi korak pri izbiri ustreznega ognjevzdržnega materiala je prepoznavanje posebnih potreb uporabe. Upoštevajte temperaturno območje, ki ga mora vzdržati ognjevzdržni material, kemično okolje in posebno uporabo. To bo pomagalo zožiti izbiro in zagotoviti, da bo izbran ustrezen ognjevzdržni material.

Raziskovanje ognjevzdržnih materialov
Ko so vaše zahteve opredeljene, je bistveno raziskati različne vrste ognjevzdržnih materialov, ki so na voljo. Upoštevajte odpornost na toplotni udar, kemično odpornost in druge pomembne dejavnike.

Upoštevajte svoj proračun
Pri izbiri ognjevzdržnega materiala je pomembno upoštevati proračun. Različni ognjevzdržni materiali imajo različne cene, zato je pomembna izbira materiala, ki ustreza proračunu. Poleg tega je ključno upoštevati skupne stroške lastništva, vključno s stroški namestitve, vzdrževanja in popravil.

Glede na kvalifikacijo silicijevega karbida
Da bi pridobili zaupanje strank, proizvajalec silicijevega karbida običajno izvaja certificiranje kakovosti silicijevega karbida. Ko kupujemo silicijev karbid, lahko torej preverimo usposobljenost proizvajalca silicijevega karbida. Bolj ko je certifikacijski organ avtoritativen, boljši je silicijev karbid.

Kako je narejen silicijev karbid?

Lelyjeva metoda

Med tem postopkom se granitni lonček segreje na zelo visoko temperaturo, običajno z indukcijo, da sublimira prah silicijevega karbida. Grafitna palica z nižjo temperaturo visi v plinski mešanici, kar po naravi omogoča, da se čisti silicijev karbid odlaga in tvori kristale.

Kemično naparjanje

Druga možnost je, da proizvajalci gojijo kubični SiC s kemičnim nanašanjem iz pare, ki se običajno uporablja v postopkih sinteze na osnovi ogljika in v industriji polprevodnikov. Pri tej metodi posebna kemična mešanica plinov vstopi v vakuumsko okolje in se združi, preden se nanese na podlago.

Previdnostni ukrepi za shranjevanje silicijevega karbida

Urejeno skladiščenje, čim bolj enaka številka serije v vrstah, da se izognemo napakam pri jemanju materialov.

Mikro prah iz silicijevega karbida ima močno absorpcijo vlage, zato se izogibajte odstranjevanju vlagoodpornega filma za shranjevanje; to lahko prepreči aglomeracijo vlage, skrajša čas sušenja.

Kolikor je mogoče, uporabite načelo prvi vstopi prvi ven, da se izognete strjevanju surovin zaradi predolgega časa skladiščenja.

če je ultra fin prah silicijevega karbida med prevozom polomljena embalaža, poskusite shraniti ločeno, da preprečite onesnaženje s prahom.

Priporočljivo je, da je skladišče čim bolj zaprto, skladiščeno ločeno, paziti pa je treba na vlago, veter in dež.

Naša tovarna

pogosta vprašanja

V: Za kaj se uporablja silicijev karbid?

O: Elementi iz silicijevega karbida se danes uporabljajo pri taljenju stekla in neželeznih kovin, toplotni obdelavi kovin, proizvodnji float stekla, proizvodnji keramike in elektronskih komponent, vžigalnikov v kontrolnih lučeh za plinske grelnike itd. Naslednji akutni (kratki) -term) učinki na zdravje se lahko pojavijo takoj ali kmalu po izpostavitvi silicijevemu karbidu: * Silicijev karbid lahko ob stiku draži oči in nos. * Obstaja malo dokazov, da silicijev karbid povzroča raka pri živalih. Lahko povzroči raka na pljučih.

V: Kakšne so aplikacije SiC v elektronskih napravah?

O: Silicijev karbid je polprevodnik, ki je popolnoma primeren za napajalne aplikacije, predvsem zaradi svoje sposobnosti, da prenese visoke napetosti, do desetkrat višje od tistih, ki se uporabljajo s silicijem. Polprevodniki na osnovi silicijevega karbida nudijo večjo toplotno prevodnost, večjo mobilnost elektronov in manjše izgube moči. SiC diode in tranzistorji lahko delujejo tudi pri višjih frekvencah in temperaturah brez ogrožanja zanesljivosti. Glavne uporabe naprav SiC, kot so Schottky diode in tranzistorji FET/MOSFET, vključujejo pretvornike, inverterje, napajalnike, polnilnike baterij in sisteme za krmiljenje motorjev.

V: Zakaj SiC premaga Si v energetskih aplikacijah?

O: Kljub temu, da je silicij najpogosteje uporabljen polprevodnik v elektroniki, začenja kazati nekatere omejitve, zlasti pri aplikacijah z visoko močjo. Pomemben dejavnik pri teh aplikacijah je pasovna vrzel ali energijska vrzel, ki jo ponuja polprevodnik. Ko je pasovna vrzel velika, je lahko elektronika, ki jo uporablja, manjša, deluje hitreje in zanesljiveje. Prav tako lahko deluje pri višjih temperaturah, napetostih in frekvencah kot drugi polprevodniki. Medtem ko ima silicij pasovni razmik okoli 1,12 eV, ima silicijev karbid skoraj trikrat večjo vrednost okoli 3,26 eV.

V: Zakaj lahko SiC prenese tako visoke napetosti?

O: Napajalne naprave, zlasti MOSFET-ji, morajo biti sposobne prenašati izjemno visoke napetosti. Zahvaljujoč dielektrični prebojni jakosti električnega polja, ki je približno desetkrat večja kot pri siliciju, lahko SiC doseže zelo visoko prebojno napetost, od 600 V do nekaj tisoč voltov. SiC lahko uporablja višje koncentracije dopinga kot silicij, nanosne plasti pa so lahko zelo tanke. Tanjša kot je nanosna plast, manjša je njena odpornost. Teoretično se lahko ob visoki napetosti upornost odnašajočega sloja na enoto površine zmanjša na 1/300 upora silicija.

V: Zakaj lahko SiC prekaša IGBT pri visokih frekvencah?

O: V aplikacijah z visoko močjo so se v preteklosti večinoma uporabljali IGBT-ji in bipolarni tranzistorji, da bi zmanjšali vklopni upor, ki se pojavi pri visokih prebojnih napetostih. Te naprave pa ponujajo znatne izgube pri preklapljanju, kar povzroča težave s proizvodnjo toplote, ki omejujejo njihovo uporabo pri visokih frekvencah. Z uporabo SiC je mogoče izdelati naprave, kot so diode s Schottkyjevo pregrado in MOSFET-ji, ki dosegajo visoke napetosti, nizek vklopni upor in hitro delovanje.

V: Katere nečistoče se uporabljajo za dopiranje materiala iz silicijevega karbida?

O: V svoji čisti obliki se silicijev karbid obnaša kot električni izolator. Z nadzorovanim dodajanjem nečistoč ali dopantov se lahko SiC obnaša kot polprevodnik. Polprevodnik tipa P lahko dobimo z dopiranjem z aluminijem, borom ali galijem, medtem ko primesi dušika in fosforja povzročijo polprevodnik tipa N. Silicijev karbid lahko v nekaterih pogojih prevaja elektriko, v drugih pa ne, na podlagi dejavnikov, kot so napetost ali intenzivnost infrardečega sevanja, vidne svetlobe in ultravijoličnih žarkov. Za razliko od drugih materialov je silicijev karbid sposoben nadzorovati območja tipa P in N, ki so potrebna za izdelavo naprav v širokem razponu. Zaradi teh razlogov je SiC material, primeren za električne naprave in lahko premaga omejitve, ki jih ponuja silicij.

V: Kako lahko polprevodniki SiC dosežejo boljše upravljanje toplote kot silicij?

O: Drugi pomemben parameter je toplotna prevodnost, ki je indeks, kako lahko polprevodnik odvaja toploto, ki jo ustvarja. Če polprevodnik ne more učinkovito odvajati toplote, se uvede omejitev največje delovne napetosti in temperature, ki ju lahko naprava prenese. To je še eno področje, kjer je silicijev karbid boljši od silicija: toplotna prevodnost silicijevega karbida je 1490 W/mK v primerjavi s 150 W/mK, ki jih ponuja silicij.

V: Kakšen je čas povratne obnovitve SiC v primerjavi s Si-MOSFET?

O: SiC MOSFET-ji imajo tako kot njihovi silicijevi primerki notranjo diodo. Ena od glavnih omejitev, ki jih ponuja ohišje diode, je neželeno povratno obnovitveno vedenje, ki se pojavi, ko se dioda izklopi, medtem ko prenaša pozitivni tok naprej. Povratni čas obnovitve (trr) tako postane pomemben indeks za opredelitev značilnosti MOSFET-a. Slika 2 prikazuje primerjavo med trr 1000 V MOSFET na osnovi Si in MOSFET na osnovi SiC. Kot lahko vidite, je ohišje diode SiC MOSFET izjemno hitro: vrednosti trr in Irr sta tako majhni, da sta zanemarljivi, izguba energije Err pa je znatno zmanjšana.

V: Zakaj je mehki izklop pomemben za zaščito pred kratkim stikom?

O: Drug pomemben parameter za SiC MOSFET je odpornost na kratek stik (SCWT). Ker SiC MOSFET-ji zasedajo zelo majhno površino čipa in imajo visoko gostoto toka, je njihova sposobnost, da prenesejo kratke stike, ki lahko povzročijo toplotne prekinitve, manjša kot pri napravah na osnovi silicija. V primeru, na primer, 1,2 kV MOSFET z ohišjem TO247 je vzdržljivostni čas kratkega stika pri Vdd=700V in Vgs=18V približno 8-10 μs. Ko se Vgs zmanjša, se tok nasičenja zmanjša in čas vzdržljivosti se poveča. Ko se Vdd zmanjša, se proizvede manj toplote in čas vzdržljivosti je daljši. Ker je čas, potreben za izklop SiC MOSFET-a, izjemno kratek, ko je stopnja izklopa Vgs visoka, lahko visok dI/dt povzroči hude napetostne skoke. Zato je treba uporabiti mehak izklop za postopno znižanje napetosti vrat, pri čemer se je treba izogniti konicam prenapetosti.

V: Zakaj je gonilnik izoliranih vrat boljša izbira?

O: Številne elektronske naprave so nizko- in visokonapetostna vezja, ki so medsebojno povezana za izvajanje krmilnih in napajalnih funkcij. Vlečni pretvornik na primer običajno vključuje nizkonapetostno primarno stran (napajalna, komunikacijska in krmilna vezja) in sekundarno stran (visokonapetostna vezja, motor, močnostna stopnja in pomožna vezja). Krmilnik, ki se nahaja na primarni strani, običajno uporablja povratne signale s strani visoke napetosti in je dovzeten za morebitne poškodbe, če ni prisotne izolacijske pregrade. Izolacijska pregrada električno izolira tokokroge od primarne do sekundarne strani, tako da tvori ločene ozemljitvene reference, ki izvajajo tako imenovano galvansko izolacijo. To preprečuje, da bi se nezaželeni AC ali DC signali prenesli z ene strani na drugo, kar bi povzročilo poškodbe napajalnih komponent.

V: Katere so ključne uporabe silicijevega karbida?

O: Silicijev karbid je zelo priljubljen abraziv v sodobnem lapidarju zaradi svoje vzdržljivosti in relativno nizke cene materiala. Zato je ključnega pomena za umetniško industrijo. V predelovalni industriji se ta spojina uporablja zaradi svoje trdote v številnih abrazivnih obdelovalnih procesih, kot so honanje, brušenje, rezanje z vodnim curkom in peskanje.

V: Komentar o trdoti silicijevega karbida?

O: Silicijev karbid lahko tvori izjemno trdo keramično snov, zaradi česar je uporaben za uporabo v avtomobilskih zavorah in sklopkah ter tudi v neprebojnih jopičih. Poleg tega, da ohranja svojo trdnost do 1400 stopinj, ta keramika izkazuje najvišjo odpornost proti koroziji med vsemi naprednimi keramikami.

V: Ali je silicijev karbid topen v vodi?

O: Silicijev karbid je netopen v vodi. Vendar pa je topen v staljenih alkalijah (kot sta NaOH in KOH) in tudi v staljenem železu. Silicijev karbid lahko štejemo za organosilicijevo spojino.

V: Zakaj je silicijev karbid tako drag?

O: Stroški enega čipa iz silicijevega karbida (SiC) se lahko razlikujejo glede na več dejavnikov, vključno s posebno uporabo, velikostjo, kompleksnostjo in proizvodnim procesom. Na splošno so SiC čipi dražji od tradicionalnih silicijevih čipov zaradi naprednih materialov in uporabljenih proizvodnih tehnik.

V: Za kaj je silicijev karbid najboljši?

O: Ker se njegova zrna zlahka zlomijo in ohranjajo ostro rezalno delovanje, se abrazivi iz silicijevega karbida na splošno uporabljajo za brušenje trdih materialov z nizko natezno trdnostjo, kot so ohlajeno železo, marmor in granit, ter materialov, ki potrebujejo ostro rezalno delovanje, kot so vlakna, guma usnje ali baker. Lomljivo: izdelki iz silicijevega karbida so krhki in niso primerni za nekatera okolja z velikimi delci in enostavno obrabo. 4. Slaba obdelovalnost: Obdelovalnost izdelkov iz silicijevega karbida je slaba in obdelava je težavna, zato je težko izdelati izdelke iz silicijevega karbida s kompleksnimi oblikami

V: Ali je silicijev karbid neprebojen?

O: Keramični materiali, kot je silicijev karbid (SiC), veljajo za idealne za zaustavitev puškinih nabojev zaradi njihove impresivne trdnosti in odpornosti. SiC se lahko kombinira s podložnimi materiali in vstavi v zaščitne jopiče, da zagotovi vitalno zaščito telesa pred izstrelki z visoko hitrostjo. Silicijev karbid se v naravi pojavlja kot izjemno redek mineral, znan kot moissanit, ki je bil prvič najden leta 1893 v meteorju Diablo v kanjonu v Arizoni. krater.

V: Ali se silicijev karbid raztopi v vodi?

O: Silicijev karbid je netopen v vodi. Vendar pa je topen v staljenih alkalijah (kot sta NaOH in KOH) in tudi v staljenem železu. Julija 2022 je MIT News objavil, da bi lahko bil kubični borov arzenid možna alternativa siliciju. Kubični borov arzenid deluje bolje kot silicij pri prevajanju toplote in elektrike.

V: Ali je silicijev karbid močnejši od diamanta?

O: Silicijev karbid je trd s trdoto po Mohsu 9,5, kar je takoj za najtršim diamantom na svetu. Poleg tega ima silicijev karbid odlično toplotno prevodnost. Je nekakšen polprevodnik in je odporen proti oksidaciji pri visoki temperaturi. Silicijev karbid (SiC), znan tudi kot karborund, je spojina silicija in ogljika s kemijsko formulo SiC.

V: Kateri je boljši silicijev karbid ali volframov karbid?

O: Silicijev karbid v obliki prahu bistveno poveča tlačno in natezno trdnost [19]. Volframov karbid (WC) je uporaben, ker je material za zaščito pred sevanjem. WC v obliki nano prahu zagotavlja višjo zaščito pred sevanjem in boljšo tlačno trdnost. Tesla je napovedala nov pogonski sklop za prihodnje vozilo, ki vsebuje 75 % manj komponent iz silicijevega karbida. Proizvajalci čipov, ki se ukvarjajo s silicijevim karbidom, so se obrnili na novice, čeprav ključni igralec v industriji Aehr Test Systems ne vidi, da bi Teslina objava imela velik vpliv na prihodnje povpraševanje.

V: Ali lahko silicijev karbid reže steklo?

O: Kolesa iz silicijevega karbida so uporabna za rezanje stekla, kremena, keramike, titana, volframa, cirkonija, urana, berilija in germanija, vlaken, plastike (kot so fenoli) in plastike, ojačane z vlakni. Ključna nevarnost je stik kože z verjetnim rakotvorno snov ali vdihavanje kristalnega silicijevega dioksida, ki bi lahko poškodoval vaša pljuča. Nekatere zvezne države v ZDA, npr. NJ, navajajo silicijev karbid kot nevarno snov.

Priljubljena oznake: silicijev karbid, Kitajska proizvajalci silicijevega karbida, dobavitelji

Par: Magnalijev prah

Naslednji: Rjava taljena glinica

Morda vam bo všeč tudi

Pošlji povpraševanje